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2019年電源發(fā)展的三大趨勢

important;">結論


電源功能、組件和傳輸方面的進(jìn)步是跨學(xué)科的,因為密度、EMI和隔離密切相關(guān)。例如,降低EMI會(huì )導致無(wú)源濾波器尺寸減小,從而獲得更高的功率密度。進(jìn)步將來(lái)自“堆疊”創(chuàng )新,帶來(lái)更多重大技術(shù)發(fā)展。其中包括充分表征的寬帶隙(WBG)功率器件,改進(jìn)的器件管芯熱界面,增強的無(wú)源器件和功能集成,先進(jìn)工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)和創(chuàng )新的電路IP。

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電源工程師必看,2019年電源發(fā)展的三大趨勢

電源Fan 今天

來(lái)源于:德州儀器(TI)


毫無(wú)疑問(wèn),電源在調節、傳輸和功耗等各個(gè)方面都成為日益重要的話(huà)題。人們期望產(chǎn)品功能日趨多樣、性能更強大、更智能、外觀(guān)更加酷炫,業(yè)界看到了關(guān)注電源相關(guān)問(wèn)題的重要意義。展望2019年,三大廣泛的問(wèn)題最受關(guān)注,即:密度、EMI和隔離(信號和電源)。


實(shí)現更高的密度

將更多電源管理放入更小的空間


由于IC光刻工藝和每個(gè)功能運行功率的大幅縮減,使得芯片上可集成更多功能和柵極,對成品的總體功率需求迅速增長(cháng),如圖1所示。一些處理器現在可以消耗幾百安培電流,并且可以在不到一微秒的時(shí)間內從低電流狀態(tài)上升到完全激活狀態(tài)。通過(guò)降低損耗和提高熱性能實(shí)現“在硬幣大小的面積上達到千瓦級功率”的密度目標并非一句玩笑話(huà)。


圖1:從1992年到2010年的產(chǎn)品熱密度發(fā)展趨勢。


問(wèn)題不僅在于管理功率和因此產(chǎn)生的功耗。由于存在基本的I2R損耗,即使在電源負載路徑中明顯“可忽略”的電阻也成為了有效功率輸送的主要障礙:在200 A時(shí),僅1mΩ的引線(xiàn)/走線(xiàn)電阻可導致出現0.2 V IR壓降和40 W損耗。此外,因為可以靠近負載放置,使用較小的轉換器也存在兩難問(wèn)題,,這一方面有利于減少走線(xiàn)損耗和噪聲拾取,但也成為負載附近的一個(gè)發(fā)熱源,導致溫度升高。


與功率密度相關(guān)的趨勢:


單顆“魔彈”可能無(wú)法解決密度難題。解決方案將包括跨學(xué)科改進(jìn),將導致:


  • 更高頻率的開(kāi)關(guān);

  • 將電源管理功能(或其電感)移到處理器散熱器下方;

  • 更高的軌電壓,如48 V,以最小化IC壓降;

  • 新封裝類(lèi)型;

  • 將無(wú)源元件集成到芯片上或封裝中。


減小EMI

發(fā)射導致出現性能不確定和拒絕調節


圖2:禁用和啟用擴頻的噪聲比較


隨著(zhù)電子產(chǎn)品更廣泛、更深入地擴展到大眾市場(chǎng)應用中,降低EMI已成為一個(gè)更大的問(wèn)題,快速了解一下當今的汽車(chē)就能證明。實(shí)際上,由于難以抑制AM波段EMI,一些電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力汽車(chē)不再提供AM無(wú)線(xiàn)電選項。當然,汽車(chē)中的EMI不僅僅會(huì )影響無(wú)線(xiàn)電,還會(huì )影響任務(wù)關(guān)鍵型ADAS(先進(jìn)駕駛輔助系統)功能,如自適應巡航控制雷達。


對設計人員來(lái)說(shuō),EMI方面的挑戰在于它通常更像是一門(mén)藝術(shù),而非一門(mén)科學(xué)。建模是一個(gè)難題,其解決方案通常需要反復試驗才能將其降至所需的最大值。此外,EMI并非單一實(shí)體,而是具有不同的來(lái)源、路徑和外觀(guān)。例如,通常引線(xiàn)布線(xiàn)和PCB布局會(huì )產(chǎn)生較強的輻射EMI,而轉換器設計和無(wú)源濾波器網(wǎng)絡(luò )則產(chǎn)生更強的傳導差分模式EMI。


與EMI相關(guān)的趨勢:


無(wú)源濾波器之類(lèi)的解決方案是可用的并且可能非常有用,但它們在尺寸、重量和成本的可削減區域內僅可達到一定水平。更大的機會(huì )在于IC供應商如何從源頭解決EMI問(wèn)題,從而提供更好的結果并增強易用性,以滿(mǎn)足必要的合規標準要求。


這些解決方案詳細介紹了噪聲的基本原理,并將降噪噪技術(shù)進(jìn)行了分層:


  • 增加使用擴頻技術(shù)來(lái)擴散噪聲能量,從而降低其在整個(gè)頻譜上的峰值;

  • 封裝,包括集成無(wú)源元件,可減少開(kāi)關(guān)時(shí)引起電壓尖峰和振鈴的寄生效應;

  • 調制功率器件柵極驅動(dòng),以減少產(chǎn)生噪聲的dV/dt回轉,同時(shí)不影響效率。


增強隔離

確保A點(diǎn)與B點(diǎn)之間無(wú)電流路徑


盡管電氣隔離技術(shù)已經(jīng)使用了很多年,但新工程師通常對其了解甚少。簡(jiǎn)而言之,它提供了一個(gè)屏障,因此輸入和輸出級之間沒(méi)有歐姆(電流)路徑,但允許電源和信號能量通過(guò)該屏障??梢酝ㄟ^(guò)各種方法來(lái)實(shí)現隔離,包括光學(xué)、磁性、電容或小型RF耦合,如圖3。


圖3:電氣隔離類(lèi)型


電流隔離最常成為以下兩個(gè)主要目的之一。首先,它為具有內部潛在危險性高電壓系統的用戶(hù)提供了安全性,它可以確保系統中存在任何內部故障時(shí),都無(wú)法影響到用戶(hù)。其次,它實(shí)現了一大類(lèi)創(chuàng )新型電源系統架構,其中初級側和次級側之間必須沒(méi)有可能的公共電流,例如當一側接地時(shí),另一側處于不接地連接的“浮動(dòng)”狀態(tài)。


人們對隔離的需求受到各種情況的驅動(dòng),例如工廠(chǎng)自動(dòng)化、廣泛的人機界面(HMI)、太陽(yáng)能電池板和醫療儀器。GaN和SiC功率器件的dV/dt額定值較高也推動(dòng)了具有挑戰性的隔離要求。


與隔離有關(guān)的趨勢


隔離可以?xún)H用于電源軌、信號線(xiàn)(數據)或同時(shí)用于兩者。理想情況下,IC供應商可以將電源和數據隔離集成在同一個(gè)封裝中,以確保安全性和可靠性。此外,由于集成了數據和電源隔離功能,IC供應商可以針對這些應用中典型的嚴格EMI標準更好地進(jìn)行控制和設計。


所需的隔離級別是應用的一大功能:5 kV增強隔離在許多情況下是足夠的,并且有詳細的行業(yè)標準對其進(jìn)行定義。


由于具有卓越的共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)性能和數據完整性,使用隔離電容進(jìn)行數據傳輸是一種流行的方法。然而,由于可傳輸的功率有限以及效率,對于大多數功率傳輸應用來(lái)說(shuō)隔離電容是不可行的。因此,當需要功率傳輸時(shí),磁性方法成為了優(yōu)選方案。結合這兩種方法,可以在同一封裝中實(shí)現完全“自偏置”收發(fā)器等解決方案,同時(shí)具有隔離電源和數據連接。此類(lèi)產(chǎn)品和技術(shù)創(chuàng )新真正改變了這些安全關(guān)鍵應用中的游戲規則。


| 發(fā)布時(shí)間:2019.05.23    來(lái)源:    查看次數:7553

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